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雷曼技術(shù)說(shuō) | 深入解析MiP器件顯示技術(shù)

來(lái)源:雷曼光電        編輯:lgh    2025-05-23 10:50:45     加入收藏    咨詢(xún)

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在顯示技術(shù)不斷迭代的浪潮中,MiP(MicroLED-in-Package)器件(無(wú)襯底芯片)顯示技術(shù)(下文簡(jiǎn)稱(chēng):MiP),正以其獨特的優(yōu)勢和創(chuàng )新的架構,成為行業(yè)矚目的焦點(diǎn)。這項...

  在顯示技術(shù)不斷迭代的浪潮中,MiP(Micro LED-in-Package)器件(無(wú)襯底芯片)顯示技術(shù)(下文簡(jiǎn)稱(chēng):MiP),正以其獨特的優(yōu)勢和創(chuàng )新的架構,成為行業(yè)矚目的焦點(diǎn)。這項技術(shù)究竟有何魔力,能在眾多顯示技術(shù)中脫穎而出,甚至有望改寫(xiě)行業(yè)規則?讓我們一探究竟。

  解密MiP,芯片級封裝的革新密碼

  MiP(Micro LED-In-Package)技術(shù)是一種芯片級的封裝技術(shù),通過(guò)巨量轉移技術(shù)將剝離了襯底的Micro LED三色發(fā)光芯片固定在載板上,隨后封裝、切割,再進(jìn)行檢測和混光。這一過(guò)程看似簡(jiǎn)單,卻蘊含著(zhù)巨大的技術(shù)突破。

圖1 MiP器件的外觀(guān)示意圖

  與傳統 COB 技術(shù)相比,MiP 的芯片級板上封裝架構優(yōu)勢顯著(zhù)。借助多層半導體電路工藝,MiP 可放大焊盤(pán)及間距,大幅降低PCB電路板精度要求,提升生產(chǎn)良率。此外,MiP 融合 Micro LED 芯片高性能與 Mini LED 成熟工藝,實(shí)現 “Micro 芯片 + Mini 封裝” 的跨代兼容,在保障顯示性能的同時(shí),降低 PCB 板制造與貼片難度,兼具工藝簡(jiǎn)單、固晶直通率高、成本可控的優(yōu)點(diǎn)。

  技術(shù)創(chuàng )新:MiP的核心競爭力

  MiP 器件的技術(shù)創(chuàng )新性,體現在多個(gè)維度,無(wú)論是封裝工藝、制造效率,還是顯示性能方面,都展現出較強的競爭力。

1.芯片級封裝與扇出架構創(chuàng )新

  MiP采用扇出封裝技術(shù)(Fan-out),通過(guò)重新布線(xiàn)放大Micro LED芯片引腳,讓焊盤(pán)尺寸更易于貼裝。這一創(chuàng )新設計直接降低了PCB基板精度要求(相比COB技術(shù))。

  2.巨量轉移與高效制造工藝

  在制造效率上,MiP采用激光巨量轉移技術(shù),每分鐘可實(shí)現數萬(wàn)顆發(fā)光芯片的轉移,且精度可達±5μm,生產(chǎn)效率的明顯提高有可能降低單位制費成本。

  3.顯示質(zhì)量與可靠性提升

  在顯示效果方面,MiP同樣表現出色。像素全測與分選技術(shù)確保了亮度、色溫一致性。黑膠填充工藝減少光串擾,搭配高透光硅膠,使光效得到明顯提升。另外,MiP所使用的Micro級發(fā)光芯片尺寸小于傳統COB芯片,黑區占比更高,能進(jìn)一步提升面板墨色的黑度,帶來(lái)更加震撼的視覺(jué)體驗。

  4.制造流程,精密協(xié)作的技術(shù)鏈條

  MiP 器件的制造流程環(huán)環(huán)相扣:首先是巨量轉移,將 50 微米以下的 Micro LED 芯片轉移至載板形成陣列;接著(zhù)進(jìn)行扇出封裝,通過(guò)半導體工藝放大電極引腳;然后切割分選,將封裝后的載板切割成單顆分立器件并測試光電性能;最后利用固晶機轉移到 PCB 或玻璃基板,每一步都彰顯著(zhù)技術(shù)的精密與嚴謹。

圖2  MiP器件的制造流程

  發(fā)展挑戰:MiP技術(shù)產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程關(guān)鍵制約因素

  盡管 MiP 技術(shù)優(yōu)勢顯著(zhù),但當前也面臨著(zhù)諸多挑戰。

  1.目前對Micro LED的分bin難度較大、成本較高,且單顆MiP芯片中包含三顆LED晶片,難以保證同批次各顏色MiP芯片的亮度和光色一致。

  2.兩道封裝工藝導致發(fā)光芯片所發(fā)出的色光從發(fā)光面到出光面經(jīng)過(guò)三種不同的材質(zhì),折射和全反射增加,可能產(chǎn)生麻點(diǎn)現象。

圖3  MiP器件的屏體(麻點(diǎn)偏多)

  3.封裝層增多使界面數量增加,不同材料膨脹系數不一致,受熱時(shí)界面應力容易失衡,可能導致封裝層分離,影響出光,出現大角度下暗亮現象。

  4.MiP技術(shù)下的器件工藝相對復雜、設備精度要求高,目前整體成本也相對較高,量產(chǎn)良率亦有待提升,技術(shù)路線(xiàn)尚未完全成熟。

  展望未來(lái),MiP如何重塑顯示技術(shù)新圖景

  盡管挑戰重重,MiP技術(shù)的應用前景卻十分廣闊。其覆蓋P0.4超微間距到P2.0常規間距,在虛擬拍攝、高端影院、可穿戴設備及透明顯示等高附加值領(lǐng)域已嶄露頭角。隨著(zhù)上游芯片成本下降,MiP產(chǎn)品將逐步向家用顯示、車(chē)載屏幕等消費領(lǐng)域滲透。預計2025年后,產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同效應將加速顯現,綜合成本有望明顯下降,推動(dòng)高端顯示市場(chǎng)規模不斷擴大。

圖4 雷曼P0.9 MiP箱體

  結語(yǔ):MiP,開(kāi)啟LED顯示封裝技術(shù)新賽道

  MiP技術(shù)憑借封裝架構革新和工藝整合,較好地平衡了微間距顯示的性能需求與產(chǎn)業(yè)化成本,無(wú)疑是LED顯示邁向超高清時(shí)代的有效技術(shù)路徑之一。隨著(zhù)技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)鏈的完善,MiP將為我們帶來(lái)更清晰、更震撼、更優(yōu)質(zhì)的顯示體驗,開(kāi)啟LED顯示封裝技術(shù)的新賽道。

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