韓國研究者實(shí)現石墨烯基板生長(cháng)柔性GaN Micro LED陣列

　　12月11日，外媒消息，韓國首爾國立大學(xué) 與成均館大學(xué) 的研究團隊聯(lián)合開(kāi)發(fā)了一種在石墨烯層上生長(cháng)柔性GaN LED陣列的方法，通過(guò)該技術(shù)研究團隊生長(cháng)出了LED微型陣列，并稱(chēng)作微盤(pán)陣列(Microdisks arrays)。實(shí)驗結果表明，微盤(pán)陣列表現出了優(yōu)異的結晶度，并可發(fā)出平面內方向一致且亮度較強的藍光。

　　據悉，研究人員使用金屬有機氣相外延技術(shù)在覆蓋有微圖案SiO2掩模的石墨烯層上生長(cháng)GaN微盤(pán)。然后將微盤(pán)加工成Micro LED，并成功轉移到可彎曲基板上。這項研究表明，可通過(guò)石墨烯上生長(cháng)出高質(zhì)量LED，并將其集成到靈活的Micro LED設備中。

　　值得注意的是，首爾國立大學(xué)的研究團隊近年正在深入進(jìn)行Micro LED技術(shù)的研究，并通過(guò)與韓國知名顯示企業(yè)之間的合作，陸續開(kāi)發(fā)出先進(jìn)的Micro LED制造技術(shù)。

　　就在今年的7月，首爾國立大學(xué)與LG電子的科學(xué)團隊在《自然》(nature)雜志上發(fā)表了一種稱(chēng)作流體自組裝(FSA) 的巨量轉移新技術(shù)，通過(guò)搖晃運動(dòng)的方式將Micro LED芯片定位并粘合在基板上。

　　實(shí)驗結果顯示，通過(guò)應用FSA技術(shù)，可在60秒的時(shí)間內組裝一個(gè)具有超19,000 個(gè)Micro LED芯片的兩英寸藍光面板。若仔細控制液體的粘度，該轉移技術(shù)還可實(shí)現高達99.9%的Micro LED組裝良率。

　　這項巨量轉移新技術(shù)可大幅縮減Micro LED顯示產(chǎn)品的制作時(shí)間與成本。該技術(shù)有望在未來(lái)5年應用在Micro LED智能手機、平板電腦、智能手表和增強現實(shí)設備等顯示產(chǎn)品的生產(chǎn)中。

　　除此之外，在2020年，首爾國立大學(xué)團隊還成功在100nm的藍寶石納米薄膜 上生長(cháng)出Micro LED陣列。研究團隊設計出一種藍寶石納米薄膜陣列，用于生長(cháng)尺寸為4μm×16μm的Micro LED陣列。這種方法無(wú)需經(jīng)過(guò)等離子蝕刻 工藝就能夠實(shí)現Micro LED芯片的單片化，提供更高的外量子效率(EQE)。