刷新行業(yè)紀錄！國星光電攜手華南理工大學(xué)成功研制行業(yè)最高發(fā)光效率的量子點(diǎn)LED器件

　　近日，國星光電及華南理工大學(xué)聯(lián)合建立的廣東省半導體微顯示企業(yè)重點(diǎn)實(shí)驗室的最新研究成果“Toward 200 Lumens per Watt of Quantum-Dot White-Light-Emitting Diodes by Reducing Reabsorption Loss”發(fā)表在國際著(zhù)名期刊《ACS Nano》。該成果是廣東省半導體微顯示企業(yè)重點(diǎn)實(shí)驗室正式啟動(dòng)以來(lái)的又一重大突破，刷新了同類(lèi)器件最高發(fā)光效率行業(yè)紀錄 ，有望加快該新技術(shù)的商業(yè)化進(jìn)程，并鞏固國星光電在Mini/Micro LED顯示器件領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)勢地位。

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　　論文封面、原理以及效率對比

　　量子點(diǎn)色轉換技術(shù)是Mini/Micro LED、OLED以及LCD寬色域顯示的共性關(guān)鍵技術(shù)，在超清顯示、虛擬顯示等新興領(lǐng)域極具應用潛力。目前，硒化鎘、鈣鈦礦等量子點(diǎn)的光致發(fā)光效率已超過(guò)85%，高于傳統稀土熒光粉材料，然而封裝制成LED器件的發(fā)光效率普遍在50-130 lm/W(理論效率>200 lm/W)，上述矛盾已困擾學(xué)界與行業(yè)多年，低下的發(fā)光效率嚴重制約量子點(diǎn)LED顯示技術(shù)的實(shí)際應用。

　　為此，該成果提出直方通孔復合量子點(diǎn)色轉換結構及其強化出光機制，利用濕法機械攪拌把量子點(diǎn)高效組裝于粒徑匹配的直方通孔結構，通孔結構被低折射率硅樹(shù)脂填充，所形成折射率差異可抑制熒光光子在通孔內部硅樹(shù)脂基材的傳播，顯著(zhù)減少重吸收損耗。最終成功突破了量子點(diǎn)LED器件的發(fā)光效率瓶頸，獲得超過(guò)200 lm/W的同類(lèi)器件最高發(fā)光效率行業(yè)紀錄（經(jīng)CNAS認證第三方機構檢測）。

　　▲2020年，廣東省半導體微顯示企業(yè)重點(diǎn)實(shí)驗室、國星光電研究院正式掛牌

　　由國星光電聯(lián)合華南理工大學(xué)等高校研究所共同組建的廣東省半導體微顯示企業(yè)重點(diǎn)實(shí)驗室 ，旨在重點(diǎn)攻克超高清半導體微顯示領(lǐng)域的行業(yè)共性技術(shù)難題，實(shí)現相關(guān)技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化與示范性應用。此次關(guān)鍵技術(shù)的重大突破，是產(chǎn)學(xué)研深度合作，實(shí)現共贏(yíng)共發(fā)展的結果，為公司全面布局超高清半導體微顯示領(lǐng)域提供有力的技術(shù)支撐，為推進(jìn)超高清顯示產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程再添動(dòng)力。長(cháng)期以來(lái)，國星光電充分發(fā)揮 “產(chǎn)學(xué)研”相結合的優(yōu)勢，依托博士后科研工作站、粵港澳智能微納光電技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗室等校企聯(lián)合科研平臺，引進(jìn)、培養高素質(zhì)創(chuàng )新型人才，近年博士后項目課題覆蓋全光譜白光LED、寬色域背光源用LED封裝以及第三代半導體技術(shù)等前沿領(lǐng)域。

　　未來(lái)，國星光電將繼續加強產(chǎn)學(xué)研深度融合，加大關(guān)鍵核心技術(shù)攻堅力度，加快科技創(chuàng )新成果轉化速度，努力刷新全球半導體微顯示技術(shù)領(lǐng)域新高度，為廣晟集團奮進(jìn)世界500強貢獻力量。