Micro LED次世代顯示技術(shù)蓄勢待發(fā)

　　Micro LED 異軍突起，應用潛力極大。Micro LED 是新一代的顯示技術(shù)，即微型化的LED 陣列，將LED 結構設計進(jìn)行薄膜化、微小化、陣列化，使其體積大約為常用LED 大小的1%，其中每一個(gè)像素點(diǎn)定制，單獨驅動(dòng)發(fā)光，像素點(diǎn)的距離由原先的毫米級降低到微米級。Micro LED 制備工藝結合了MOEMS 技術(shù)和LED 制備工藝，具有重復性好，一致性好等優(yōu)點(diǎn)，可實(shí)現超高分辨率(1500ppi 以上)，且發(fā)光壽命長(cháng)，材料穩定性好，可以避免OLED 器件的殘影現象，未來(lái)商用潛力極大。

　　效率更高，功耗更小，Micro LED 有望大幅延長(cháng)續航時(shí)間。近年來(lái)OLED 領(lǐng)域，發(fā)光材料的效率已獲持續改進(jìn)，但相比之下，LED 發(fā)光效率依然是最高的，約為OLED 的兩倍左右，而Micro-LED 的發(fā)光效率大約是LED 的4 倍左右。Micro LED只需消耗LCD 和OLED 10%-20%的能量，而通常屏幕耗能占智能手機總耗能50%-60%，使用Micro LED 有望大幅降低手機耗能，提供更長(cháng)的電池續航力。

　　各大巨頭積極布局，Micro LED 商業(yè)化曙光已現。據報道，蘋(píng)果今年將在臺灣對搭載Micro LED 的設備進(jìn)行測試，并率先推出一批使用該技術(shù)的AppleWatch。隨后不排除會(huì )在蘋(píng)果手機上應用Micro LED 顯示屏。蘋(píng)果早在2014 年就收購研發(fā)Micro-LED 的公司LuxVue，多年來(lái)技術(shù)儲備不斷增加，專(zhuān)利儲備豐富。此外，近日鴻海對外公告，為了布局繼OLED 之后最有希望的新世代顯示技術(shù)Micro LED，公司透過(guò)子公司CyberNet 投資約資1，000 萬(wàn)美元取得eLux 部分股份，elux 在Micro LED 轉移技術(shù)方面已有專(zhuān)利布局。

　　同時(shí)，不同于蘋(píng)果等大廠(chǎng)有意將Micro LED 應用于穿戴式裝置或手機產(chǎn)品，Sony 率先展示采用Micro LED 技術(shù)生產(chǎn)的110 吋室內大型顯示器CLEDIS(Crystal LED Integrated Structure)，畫(huà)質(zhì)與對比度均令外界驚艷。此外，國外相關(guān)研究團隊還有美國德州理工大學(xué)、美國伊利諾大學(xué)、英國史崔克萊大學(xué)等等。據LEDinside 報道，如果按照全面取代現有液晶顯示器的零組件的規模來(lái)估算，包括背光模塊、液晶、偏光板等，未來(lái)Micro LED 的潛在市場(chǎng)規模約可達300-400 億美元。

　　技術(shù)及成本是主要瓶頸，大規模應用尚需時(shí)日。目前Micro LED 面臨的主要技術(shù)難題在于巨量轉移技術(shù)(Mass Transfer)。與LED 的制備方法類(lèi)似，Micro LED可以在藍寶石襯底上以蝕刻方式制作，但難點(diǎn)在于Micro LED 制備需將傳統LED陣列化、微縮化后定址巨量轉移到電路基板上，形成超小間距LED，以實(shí)現超高像素、超高解析率。整個(gè)制程對轉移過(guò)程要求極高，良率需達99.9999%，精度需控制在正負0.5μm 內，難度極高。

　　目前轉移相關(guān)技術(shù)有范德華力、靜電吸附、相變化轉移、激光燒蝕四種，但相關(guān)工藝仍未成熟。此外，根據估算，目前Micro LED 顯示技術(shù)上帶來(lái)的制造成本仍高達現有顯示產(chǎn)品的3～4 倍，因而廠(chǎng)商正積極透過(guò)增加產(chǎn)品附加價(jià)值，以及改善芯片、轉移技術(shù)良率以達到成本下降目標，估計若要取代現有LCD 產(chǎn)品還需3～5 年的時(shí)間。