Micro-LED 巨量轉移技術(shù)的難點(diǎn)與突破全解析（二）

　　1. 為什么巨量轉移的檢測是關(guān)鍵步驟？

　　巨量轉移檢測是確保屏體質(zhì)量的關(guān)鍵步驟，旨在識別并精確定位制程中的壞點(diǎn)，然后將這些坐標輸出給修復工藝，以提高屏體的點(diǎn)亮良率和畫(huà)質(zhì)。目前，檢測方式主要包括外觀(guān)檢測、光學(xué)檢測和電學(xué)檢測，分別在Wafer端、制程端和屏體端進(jìn)行，以實(shí)現對過(guò)程不良的精準檢測。此外，為了應對Micro-LED芯片光學(xué)均一性不足的問(wèn)題，辰顯光電采用了混bin技術(shù)，通過(guò)光學(xué)和電學(xué)檢測對Micro-LED來(lái)料進(jìn)行精確分類(lèi)，從而提升顯示效果。

　　2. 目前行業(yè)在巨量轉移檢測中面臨哪些主要挑戰？

　　隨著(zhù)Micro-LED芯片的微縮化，傳統檢測方案和設備難以滿(mǎn)足需求。首先，電學(xué)檢測面臨的挑戰在于每個(gè)顯示器需檢測的LED數量達到數十萬(wàn)乃至上千萬(wàn)顆，受限于Micro-LED 芯片一般小于50μm，現有檢測效率還處在1～2秒的階段，還無(wú)法滿(mǎn)足 LED全檢要求。其次，檢測精度要求極高，Micro-LED制程中對于精度的要求一般在2μm以?xún)?，高PPI產(chǎn)品甚至需要1μm以?xún)鹊木?。這對于 Micro-LED 芯片從晶圓到中間臨時(shí)基板再到背板的各個(gè)環(huán)節的精度檢測提出了極高要求，必須結合智能算法和高精度數據采集硬件才能達成。

　　3. 辰顯光電如何構建高效的巨量轉移檢測流程？

　　辰顯光電在巨量轉移工藝中布置了多個(gè)檢測站點(diǎn)，以提高一次轉移良率和精準修復能力。首先，Micro-LED Wafer來(lái)料時(shí)會(huì )進(jìn)行外觀(guān)(AOI)、光學(xué)(PL)和電學(xué)(EL)檢測，確保 Micro-LED 的來(lái)料良率和光電信息，集中修復不良點(diǎn)位。在轉移制程中，通過(guò)AOI檢測確定制程中的不良因素，如缺失、偏位等，進(jìn)行及時(shí)修復。最后，針對鍵合后的屏體進(jìn)行CT檢測，檢查屏體光學(xué)品質(zhì)，包括亮暗點(diǎn)、異常顯示、亮度和波長(cháng)一致性等，并將檢測出的壞點(diǎn)坐標輸出給下一站點(diǎn)修復。最終通過(guò)層層檢測和修復，辰顯光電能夠生產(chǎn)出高畫(huà)質(zhì)、零暗點(diǎn)的屏體。

　　4. 辰顯光電采用了哪些國內首臺設備或技術(shù)進(jìn)行檢測？

　　辰顯光電十分重視與國內設備廠(chǎng)商密切合作，在Micro-LED產(chǎn)業(yè)化初期即引入了多項國內先進(jìn)技術(shù)和設備，特別是在檢測方面，涵蓋了AOI、PL、CT等關(guān)鍵檢測環(huán)節，確保檢測流程的高效性和準確性。由于Micro-LED是新興技術(shù)，隨著(zhù)對技術(shù)和工藝要求的不斷提升，辰顯光電與設備廠(chǎng)商共同推進(jìn)設備與技術(shù)的迭代，合作開(kāi)發(fā)出了多個(gè)國內首臺套設備，進(jìn)一步推動(dòng)了Micro-LED產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。