面向LED驅動(dòng)電源領(lǐng)域，國星光電持續豐富第三代半導體產(chǎn)品布局

　　因具備高頻、高效、耐高壓、耐高溫、抗輻射等優(yōu)越性能特點(diǎn)，氮化鎵 是時(shí)下最熱門(mén)的第三代半導體材料之一;因可幫助芯片成品增加集成度、減小體積并降低功耗的特性，SIP（System in Package）系統級封裝技術(shù) 成為當前關(guān)鍵的半導體先進(jìn)封裝技術(shù)，若兩者結合，又將會(huì )為半導體下游應用帶來(lái)什么樣的“新火花”呢?

　　近日，國星光電應邀出席2023集邦咨詢(xún)第三代半導體前沿趨勢研討會(huì )，并發(fā)表了《GaN的SIP封裝及其應用》主題演講，圍繞氮化鎵的SIP封裝及應用進(jìn)行解析與展望，并就氮化鎵的SIP封裝技術(shù)如何開(kāi)辟公司半導體封裝業(yè)務(wù)新藍海、賦能LED產(chǎn)業(yè)創(chuàng )新發(fā)展作了分享。

　　▲國星光電應邀出席2023集邦咨詢(xún)第三代半導體前沿趨勢研討會(huì )并發(fā)表演講

　　乘勢而上

　　精準發(fā)力SIP系統級封裝

　　面對下游應用集成電路芯片封裝尺寸縮小、更輕更薄的發(fā)展趨勢，SIP技術(shù)應需而生。SIP技術(shù)是通過(guò)將多個(gè)裸片及無(wú)源器件整合在單個(gè)封裝體內的集成電路封裝技術(shù)，可應用于消費電子、無(wú)線(xiàn)電子、醫療電子、云計算、工業(yè)控制、汽車(chē)電子等生活與生產(chǎn)場(chǎng)景。隨著(zhù)應用場(chǎng)景的持續擴大，未來(lái)將有更多不同領(lǐng)域的芯片朝著(zhù)SIP封裝的方向發(fā)展，市場(chǎng)前景廣闊。

　　SIP封裝技術(shù)制造程序較為復雜，不僅受到裝備工藝能力、材料特性方面的限制，對于封測設計也是極具挑戰，要綜合考慮封裝過(guò)程中以及應用時(shí)器件的電-磁影響，電-熱應力影響等方面因素，因此，對于企業(yè)的封測能力有著(zhù)較高的要求。

　　近年來(lái)，國星光電不斷豐富第三代半導體賽道的產(chǎn)品布局，作為L(cháng)ED封裝行業(yè)龍頭企業(yè)，公司在SIP封裝技術(shù)上具備先發(fā)優(yōu)勢，可通過(guò)與氮化鎵的結合，為下游LED等各領(lǐng)域提供高品質(zhì)、高可靠性的驅動(dòng)電源方案。

　　攻堅克難

　　開(kāi)發(fā)豐富氮化鎵SIP產(chǎn)品

　　與常規的Single Die器件不同，國星光電主要的研究方向是制造生產(chǎn)具備特定功能的氮化鎵功率器件。由于氮化鎵功率器件本質(zhì)是一個(gè)開(kāi)關(guān)管，若要實(shí)現特定的功能，這離不開(kāi)對氮化鎵開(kāi)關(guān)管的控制?？刂菩袨樵陔娐分袑儆谶壿嫴糠?，將邏輯電路和功率電路進(jìn)行SIP封裝是高難度的挑戰。

　　面對氮化鎵SIP封裝器件復雜的制造程序，以及鮮有可參考的技術(shù)產(chǎn)品案例，國星光電充分利用自身在LED封裝領(lǐng)域的多年經(jīng)驗與優(yōu)勢和在第三代半導體的潛心研究，積極攻堅技術(shù)壁壘，成功開(kāi)發(fā)出多款基于SIP封裝的氮化鎵IC產(chǎn)品，并配套開(kāi)發(fā)出相應的氮化鎵驅動(dòng)方案，可在LED照明驅動(dòng)電源、LED顯示器驅動(dòng)電源、墻體插座快充、移動(dòng)排插快充等領(lǐng)域得以應用。

　　其中，驅動(dòng)器+氮化鎵SIP封裝方案在墻插快充產(chǎn)品上得以應用，具備尺寸小、功率密度高的優(yōu)勢，輸出功率達到了35W，達到行業(yè)領(lǐng)先水平。系列產(chǎn)品還可以應用于120W、200W磁吸燈和櫥柜燈等場(chǎng)景。

　　▲國星光電驅動(dòng)器+氮化鎵SIP封裝方案及應用

　　此外，國星光電還布局了應用于LED調光的AC/DC氮化鎵可控硅調光LED驅動(dòng)芯片產(chǎn)品，通過(guò)內置MCU芯片來(lái)實(shí)現LED亮度從1%到100%的調節，并簡(jiǎn)化了開(kāi)關(guān)電路;推出了可雙路調光調色的氮化鎵控制IC產(chǎn)品，將MCU芯片與氮化鎵電路結合，通過(guò)電力載波的形式實(shí)現通信高效傳輸。

　　立足主業(yè)

　　重點(diǎn)培育第三代半導體新應用

　　從簡(jiǎn)單的氮化鎵單管，到合封驅動(dòng)產(chǎn)品，再到做氮化鎵SIP封裝以及功能多元化的氮化鎵芯片，目前，國星光電正著(zhù)力打造全新電源管理IC技術(shù)路線(xiàn)，推動(dòng)氮化鎵驅動(dòng)方案向LED應用下游深入發(fā)展，致力讓LED驅動(dòng)電源成為PD快充之后又一快速成長(cháng)的氮化鎵應用市場(chǎng)。

　　當前，國星光電在第三代半導體產(chǎn)品布局已形成碳化硅分立器件、碳化硅功率模塊、氮化鎵電源方案等一系列碳化硅/氮化鎵功率器件及應用方案，可廣泛應用于照明及大功率驅動(dòng)市場(chǎng)、太陽(yáng)能發(fā)電、光伏逆變、儲能、充電樁、電網(wǎng)傳輸、風(fēng)力發(fā)電等領(lǐng)域。

　　依托優(yōu)異的LED封裝品質(zhì)口碑，下一步，國星光電將立足主業(yè)，繼續重點(diǎn)培育新的第三代半導體產(chǎn)品，促進(jìn)企業(yè)多元化發(fā)展，并充分利用自身完整的封測產(chǎn)線(xiàn)優(yōu)勢，努力做強第三代化合物半導體及功率IC封測業(yè)務(wù)，力爭成為化合物半導體封測先行者、引領(lǐng)者。

　　部分資料來(lái)源：化合物半導體市場(chǎng)微信公眾號

　　撰稿：翁雯靜

　　編輯：翁雯靜

　　編審：潘麗華